ASML整合微影方案获意法采用
受惠于晶圆代工与DRAM厂推出先进制程,对浸润式显影机台需求大增,让半导体设备大厂艾斯摩尔(ASML)2010年接单畅旺,随著半导体制程推进5x奈米以下先进制程,制程复杂度大增,亦需加紧提高量良率,让ASML甫于2009年推出的整合微影技术(Holistic Lithography)系列产品,已获得意法半导体(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。
本文引用地址:指出,随著半导体制程推进到50x奈米以下制程,业者投入的经费越来越高昂,生产时程亦拉得更长,良率更难提升,制程容许度(process window)更小,让制程人员再研发过程中更为吃力,亦考验电路设计、光罩及曝光机的稳定性。
ASML进一步指出,为协助客户缩短研发时程,并延续摩尔定律(Moore’s Law),并能够实际将制程导入生产线,确保生产线稳定,ASML致力于新型设备的开发,并将设备、软件与量测等系统结合,提供更大的设计自由度。
ASML 于2009年推出Holistic系列产品,其中包括可编程照光技术 (FlexRay)和反馈式调控机制 (BaseLiner),以及量测设备YieldStar。ASML指出,在Holistic系列产品的架构下,ASML亦结合软件、辅助硬件应用支持,为客户量身打造Eclipse解决方案,满足每个客户不同的需求。
由于进入2x奈米以下制程,半导体业者多采用双重曝光(double- patterning)微影技术,但在曝光的同时,也容易造成误差,同时,1个晶圆厂中,数十台的曝光机也多少会有误差产生,虽然这些误差在一定的范围内,仍可容许,不过随著需求的大幅成长,半导体业者亦积极提升制程量良率,因此进而带动对ASML整合微影产品的销售。
ASML表示,最新的Eclipse系列产品,已有包括ST等多家半导体大厂采用,ST采用TWINSCAN NXT 1950i型曝光机,用于28奈米制程,可提升堆叠的准确度。ASML进一步指出,公司也正在将Eclipse产品推向20奈米制程。
ASML 表示,TWINSCAN NXT 1950i机台首季出货9台,第2季出货数据将于近期法说会公告,累计至今,全球已有50万片晶圆采用该机台进行曝光。
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